ИЗ ИСТОРИИ: имя в науке

Источники света Фатимы Бутаевой

Сегодня, 29 ноября, в актовом зале Национальной научной библиотеки пройдет вечер памяти нашей землячки Фатимы Бутаевой. 1 декабря ей, видному ученому-физику, кандидату технических наук, автору ряда серьезных изобретений в области электроники и электротехники, лауреату Сталинской премии, исполнилось бы 100 лет.

В этот день здесь соберутся ее коллеги, родственники, ученики и последователи, для которых Фатима Асланбековна была не просто величиной в науке, но и близким человеком. А таковых немало, ведь Ф. А. Бутаевой было суждено прожить очень яркую, насыщенную событиями и встречами с талантливыми людьми жизнь.
«Если жить для других, то другие сберегут то, чему ты служил, чему отдавал силы», – говорил Д. С. Лихачев. И эти слова можно считать основным лейтмотивом жизни Ф. Бутаевой. Это то, чему следовала она всегда, превыше всего ставя подвижничество, высокое служение своей стране.
Фатима Асланбековна Бутаева родилась 1 декабря 1907 года в г. Алагире в невероятно богатой талантами семье. Ее отец Асланбек Саввич Бутаев с отличием окончил сначала церковноприходскую школу, потом Ардонскую духовную семинарию и, наконец, знаменитый императорский Юрьевский университет, став адвокатом. Но душа его тяготела к литературе, что нашло отражение в дружбе с Коста Хетагуровым и занятиях журналистикой. Он был редактором газеты «Правое дело, неоднократно запрещавшейся царским правительством, руководил первой газетой на осетинском языке «Ирон газет». Впоследствии был министром Горского правительства.
Дядя Фатимы Асланбековны Казбек Саввич Бутаев был первым секретарем Северо-Осетинского обкома ВКП(б), директором Института красной профессуры в Москве. Другой дядя Инал Саввич Бутаев служил экспертом по международной экономике, был доктором экономических наук. Родной брат Фатимы Девлет Асланбекович Бутаев – видный ученый-гидродинамик, доктор технических наук, профессор, возглавлял кафедру в ведущем техническом вузе страны – МВТУ им. Баумана. Впоследствии он стал директором отделения стран Юго-Восточной Азии ЮНИСЕФ и ЮНИДО. Его имя было занесено в Книгу почета посольства СССР в Индии и в Книгу почета выдающихся выпускников-«бауманцев».
Вот в таком замечательном окружении происходило становление личности Фатимы Бутаевой.
Она окончила среднюю школу в Алагире и по велению сердца уехала в Москву. Там девушка поступила на физико-математический факультет Московского педагогического института, став по окончании вуза учительницей физики. В течение двух лет она преподавала теоретическую механику в учебном техникуме Метростроя, но подспудно чувствовала свое призвание в ином: грезила о лабораторных исследованиях и научных открытиях.
В 1931 году Ф. Бутаева оставила преподавательскую стезю и поступила на работу во Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. А поскольку Фатима Асланбековна от природы была личностью неординарной, то, будучи принятой на должность инженера, сама пришла к заведующему лабораторией В. А. Фабриканту и прямо заявила, что хочет начать с азов, глубоко вникнуть в порученное ей дело и изучить его досконально, а для этого нужно начать свою трудовую деятельность с выполнения обязанностей лаборанта, техника, старшего техника. Это заявление было неожиданным для окружающих, однако вскоре принесло свои плоды: Бутаева в совершенстве овладела навыками работы лаборанта, стеклодува, монтажницы и впоследствии стала инженером-исследователем высочайшей квалификации.
Фатима Асланбековна выбрала важное направление в физике – источники света. Ее научным руководителем стал видный ученый-физик В. А. Фабрикант.
Группа ученых, в которую входила и Ф. А. Бутаева, занималась фундаментальными исследованиями в сфере физической оптики, люминесценции и фотолюминесценции. В изучении этих направлений огромное значение имели труды крупного советского ученого, академика С. И. Вавилова. Под его непосредственным руководством коллективом единомышленников, где трудилась Ф. А. Бутаева, был проделан титанический труд по разработке теории люминесценции, практически реализованной в так называемых лампах дневного света. В 1938 г. были сделаны первые опытные образцы подобных ламп, и это было большим и несомненным успехом наших ученых.
Далее предстояло решить не менее важную задачу организации промышленного производства таких ламп. Однако Великая Отечественная война помешала осуществлению задуманного.
В годы войны Ф. А. Бутаева занималась проблемами обороны страны и за свой самоотверженный труд была удостоена ордена «Знак Почета» и медалей.
В 1946 г. Бутаева успешно защитила диссертацию и стала кандидатом технических наук. Для производственного освоения лабораторных типов люминесцентных ламп в распоряжение Бутаевой был выделен запущенный ветхий завод с устаревшим оборудованием. И Фатима Асланбековна, добившись коренной реконструкции завода в сжатые сроки, сумела доказать всем, что она не только талантливый ученый, но и прекрасный организатор.
В 1948 г. завод был оснащен новейшей техникой, начались экспериментальные работы, а потом и промышленный выпуск люминесцентных ламп. Так было создано первое в СССР специализированное предприятие по выпуску люминесцентных ламп – Завод ламп дневного света (ЗЛДС), ставший впоследствии опытным заводом Светотехнического института (ВНИСИ).
За разработку люминесцентных ламп группе ученых в составе С. И. Вавилова, В. А. Левшина, М. А. Константиновой, В. А. Фабриканта, В. И. Долгополовой, Ф. А. Бутаевой в 1951 г. была присуждена Сталинская (ныне Государственная) премия.
Совместно с В. А. Фабрикантом и М. М. Вудынским Ф. Бутаева занялась изучением процессов индуцированного излучения в газоразрядной плазме. И в результате на основе анализа спектра газового разряда была доказана возможность усиления за счет стимулированного (индуцированного) излучения и изобретен способ такого усиления. Таким образом, был создан лазер – мощный источник излучения, оптический квантовый прибор, похожий на небезызвестный нам «гиперболоид инженера Гарина».
В 1964 г. кандидату технических наук Ф. А. Бутаевой, профессорам В. А. Фабриканту и М. М. Вудынскому были выданы диплом на открытие нового принципа усиления электромагнитных волн с помощью индуцированного излучения и авторское свидетельство на изобретение. В дальнейшем на основе этого изобретения были созданы новые виды сверхдальней связи, телевидения, сигнализации, новые технологические способы обработки металлов, новые виды приборов для разного рода технических и научных целей.
Фатима Асланбековна всегда поддерживала связи с родной Осетией, неоднократно приезжала на малую родину, в Алагир, встречалась с земляками.
Рано оставшись сиротой (мать умерла, отца репрессировали в 1938 г.), Фатима Асланбековна всю свою жизнь заботилась о младших братьях и сестрах, позже – о племянниках.
Знавшие ее люди вспоминают, каким необычайно привлекательным человеком была Фатима Асланбековна: тактичная, мягкая, по-настоящему интеллигентная, честная, справедливая…
Она ушла от нас 19 июня 1992 года. Похоронена наша землячка на Котляровском кладбище в Москве.
Есть хорошая пословица: «Человек живет век, а дело его – вечность». Поэтому есть предложение: подготовить и издать книгу под рабочим названием «Вклад осетин в мировую науку и технику», где имя Фатимы Асланбековны Бутаевой займет достойное место в ряду выдающихся представителей научного мира нашей республики.
Н. КУЛИЧЕНКО, ведущий методист Национальной научной библиотеки РСО–А.

---